1.平板電容器極片尺寸：φ25.4mm極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，0.01mm2.園筒電容器電容量線性：0.33pF / mm0.05 pF長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，0.01mm3. 夾具插頭間距：25mm1mm4. 夾角損耗角正切值：≤410－4（1MHz時）

詳細介紹

介電常數(shù)測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標準介質(zhì)樣品組成，能對絕緣材料進行

高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及

IEC60250規(guī)范要求。

GDAT 系列介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是20Hz～1MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對絕緣材料的相對介

電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測試。

GDAT系列中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用高頻阻抗分析

儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗

值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過公式計算得到。

1 特點：

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復性。

◎ 介電常數(shù)測量范圍可達1～10⁵

2 主要技術(shù)指標：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測試。
2.1.2 ε和D測量范圍：ε：1～10⁵，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

型號	GDAT-S
工作頻率范圍	20Hz～1MHz 數(shù)字合成，精度：±0.02%
電容測量范圍	0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯
電容測量基本誤差	±0.05%
損耗因素D值范圍	0.00001～9.99999 六位數(shù)顯

高頻介質(zhì)樣品（選購件）：

在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

GDAT系列 介電常數(shù)測試儀配置

配置類型	標準型
電橋工作頻率范圍	20Hz～1MHz 精度：±0.02%
配置型號	高頻阻抗分析儀三電極測試裝置
介電常數(shù)范圍	1-100 精度：±2%
損耗因素D值范圍	0.00001～9.99999 六位數(shù)顯