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激光分子束外延系統(tǒng)

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品型號(hào)激光分子束外延系統(tǒng)產(chǎn)品簡介激光分子束外延是近十年來出現(xiàn)的高精密制膜技術(shù)，它綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點(diǎn)和優(yōu)勢，可在高真空、超高真空條件下實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜原子尺度層狀外延生長

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產(chǎn)品型號(hào)	激光分子束外延系統(tǒng)
產(chǎn)品簡介	激光分子束外延是近十年來出現(xiàn)的高精密制膜技術(shù)，它綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點(diǎn)和優(yōu)勢，可在高真空、超高真空條件下實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜原子尺度層狀外延生長。適用于多種有機(jī)、無機(jī)薄膜的制備，尤其適宜于用其它制膜設(shè)備和方法難以制備的高熔點(diǎn)、多元素（特別是含有氣體元素時(shí)）、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜和超晶格的制備，并可同時(shí)進(jìn)行激光與物質(zhì)相互作用及成膜過程的物理、化學(xué)觀測，為探索、開發(fā)新材料、新器件及相關(guān)基礎(chǔ)研究提供了一個(gè)強(qiáng)有力的平臺(tái)。適用范圍： ★ 適用于多種有機(jī)、無機(jī)薄膜的制備，尤其適宜于用其它制膜設(shè)備和方法難以制備的高熔點(diǎn)、多元素（特別是含有氣體元素時(shí)）、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜和超晶格的制備，并可同時(shí)進(jìn)行激光與物質(zhì)相互作用及成膜過程的物理、化學(xué)觀測，為探索、開發(fā)新材料、新器件及相關(guān)基礎(chǔ)研究提供了一個(gè)強(qiáng)有力的平臺(tái)。
主要特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)	主要技術(shù)指標(biāo): ★ 外延室: 直徑500mm不銹鋼球形腔體，裝配有靶組件、基片臺(tái)等部件及多種窗口/觀察窗、接口、樣品傳遞（磁傳送桿）外延室背底真空度：2～10-8 Pa以上 ★ 靶組件：可裝Φ70mm靶材4塊，可制備2英寸外延基片換靶定位精度：0.1° 靶材自傳頻率：0.5 ~ 5Hz 靶與基片間距: 調(diào)節(jié)范圍：35－95mm ★ 基片臺(tái)：基片旋轉(zhuǎn)：0 ~ 360°, 0.2 ~ 5Hz 工作溫度：850 °C 溫度起伏：≤ ±0.1 °C ★ 紅外測溫儀：測溫范圍：300～1200°C 靈敏度：0.1°C 最小可測面積：Φ2mm ★ 四極質(zhì)譜儀：最小可測分壓：5x10-11Pa 質(zhì)量范圍：2~100amu 靈敏度：0.4/Pa(N) ★ 二維激光掃描調(diào)節(jié)范圍：掃描角度：X,Y - 0° ~ 20° 掃描周期：X - 10 ~ 60s,Y - 30 ~ 120s 光束取向：0° ～ 360° ★ 控制計(jì)算機(jī)：可建立160個(gè)用戶（每用戶可有40個(gè)靶系統(tǒng)硬件組態(tài)子目錄，每子目錄有40個(gè)RECIPE工作目錄，每RECIPE可有88個(gè)STAGE） RHEED計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)：每次可采集存儲(chǔ)圖像8幅、強(qiáng)度振蕩數(shù)據(jù)點(diǎn)60 000個(gè) 數(shù)據(jù)采樣頻率：16個(gè)/秒、8個(gè)/秒、3個(gè)/秒、1個(gè)/秒活性氣體裝置：工作氣壓范圍： 1~ 5 x 10-3 Pa 原子氧濃度：≥10 %
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